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长沙嵌入式开发相关求职简历模板
liuxuequn.com姓名
(男,23岁)求 职 位:嵌入式开发相关 | 期望薪资:3000-5000元/月 |
目前职位:未填写 | 学 历:本科 |
工作经验:无经验 | 现居住地:长沙 |
联系电话: | 电子邮箱: |
自我评价
本人性格沉稳,面对问题喜欢积极思考,在团队工作中善于及时发现问题并提出解决方案,乐观自信的我相信团队的力量,深知为一个团队付出10%的努力,将会得到团队10倍的回报。 大学期间,我非常注重理论与实践的结合,先后参加过两次大中型项目的开发,虽然在嵌入式研发的路上遇到过各种困难与迷惑,但我知道只要通过不断的试验,验证才能冲出困惑。我对于工作的态度是:认真负责,沉稳严谨,能吃苦耐劳,敢于挑战。“付出才有回报,因为经历,所以幸福”是我一直坚信的理念!
陈勤教育经历
2008-9 至 2011-6湖南城市学院计算机科学与技术专业
陈勤语言能力
英语:熟悉
陈勤专业证书
湖南城市学院大学生科技创新项目 2011年11月由湖南城市学院颁发证书图片
湖南城市学院大学生科技创新项目 2011年6月由湖南城市学院颁发证书图片
陈勤照片/作品
长沙求职简历模板延伸阅读,教你如何撰写一个优秀的个人简历。
个人简历主要内容
1、个人资料:必须有姓名、性别、联系方式(固定电话、手机、电子邮箱、固定住址),而出生年月、籍贯、政治面貌、婚姻状况、身体状况、兴趣爱好等则视个人以及应聘的岗位情况,可有可无。
2、学业有关内容:毕业学校、学院、学位、所学专业、班级、城市和国家,然后是获得的学位及毕业时间,学过的专业课程(可把详细成绩单附后)以及一些对工作有利的副修课程以及您的毕业设计等。
3、本人经历:大学以来的简单经历,主要是学习和担任社会工作的经历,有些用人单位比较看重你在课余参加过哪些活动,如实习,社会实践,志愿工作者,学生会,团委工作,社团等其他活动。切记不要列入与自己所找的工作毫不相干的经历。
4、荣誉和成就:包括“优秀学生”、“优秀学生干部”、“优秀团员”及奖学金等方面所获的荣誉,还可以把你认为较有成就的经历(比如自立读完大学等)写上去。或者是参加国家学术性竞赛,国际比赛获得的荣誉等。
5、求职愿望:表明你想做什么,能为用人单位做些什么。内容应简明扼要。
6、附件:个人获奖证明,如优秀党、团员,优秀学生干部证书的复印件,外语四、六级证书的复印件,计算机等级证书的复印件,发表论文或其他作品的复印件等。
7、个人技能:专业技能,IT技能和外语技能。同时也可以罗列出你的技能证书。
8、第三方推荐:通过专业的职业测评系统...
嵌入式系统开发技术工程师考试的重点难点:嵌入式微处理器体系结构
“嵌入式微处理器体系结构”是嵌入式系统开发技术工程师考试的重点难点 ,还请广大考生注意,以免踩入考试的盲点,在这里小编给你更新考试的知识点,关注一下此网站吧!
嵌入式系统开发技术工程师考试的重点难点:嵌入式微处理器体系结构
嵌入式微处理器体系结构
(1)冯诺依曼结构:程序和数据共用一个存储空间,程序指令存储地址和数据存储地址指向同一个存储器的不同物理位置,采用单一的地址及数据总线,程序和数据的宽度相同。例如:8086、ARM7、MIPS…
(2)哈佛结构:程序和数据是两个相互独立的存储器,每个存储器独立编址、独立访问,是一种将程序存储和数据存储分开的存储器结构。例如:AVR、ARM9、ARM10…
(3)CISC与RISC的特点比较(参照教程22页)。计算机执行程序所需要的时间P可以用下面公式计算:P=I×CPI×T
I:高级语言程序编译后在机器上运行的指令数。
CPI:为执行每条指令所需要的平均周期数。
T:每个机器周期的时间。
(4)流水线的思想:在CPU中把一条指令的串行执行过程变为若干指令的子过程在CPU中重叠执行。
(5)流水线的指标:
吞吐率:单位时间里流水线处理机流出的结果数。如果流水线的子过程所用时间不一样长,则吞吐率应为最长子过程的倒数。
建立时间:流水线开始工作到达最大吞吐率的时间。若m个子过程所用时间一样,均为t,则建立时间T=mt。
(6)信息存储的字节顺序A、存储器单位:字节(8位)
B、字长决定了微处理器的寻址能力,即虚拟地址空间的大小。
C、32位微处理器的虚拟地址空间位232,即4GB。
D、小端字节顺序:低字节在内存低地址处,高字节在内存高地址处。
E、大端字节顺序:高字节在内存低地址处,低字节在内存高地址处。F、网络设备的存储顺序问题取决于OSI模型底层中的数据链路层。
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嵌入式系统开发技术工程师考试的重点难点:电平转换电路
“电平转换电路”是嵌入式系统开发技术工程师考试的重点难点 ,还请广大考生注意,以免踩入考试的盲点,在这里小编给你更新考试的知识点,关注一下此网站吧!
嵌入式系统开发技术工程师考试的重点难点:电平转换电路
电平转换电路
(1)数字集成电路可以分为两大类:双极型集成电路(TTL)、金属氧化物半导体(MOS)。
(2)CMOS电路由于其静态功耗极低,工作速度较高,抗干扰能力较强,被广泛使用。
(3)解决TTL与CMOS电路接口困难的办法是在TTL电路输出端与电源之间接一上拉电阻R,上拉电阻R的取值由TTL的高电平输出漏电流IOH来决定,不同系列的TTL应选用不同的R值。
旧设备逻辑电平转换接口时可能需要使用较小的几何尺寸工艺新设备。对于像I2C总线的双向总线系统,如电平转换器也必须是双向的,无需方向控制信号的需要。最简单的方式来解决这个问题是每个总线连接一个独立的MOS场效应管。
AN10441
Level shifting techniques in I2C-bus design
Rev. 01 ― 18 June 2007 Application note
Document information
Info Content
Keywords I2C-bus, level shifting
Abstract Logic level shifting may be required when interfacing legacy devices with
newer devices that use a smaller geometry process. For bidirectional bus
systems like the I2C-bus, such a level shifter must also be bidirectional,
without the need of a direction control signal. The simplest way to solve
this problem is by connecting a discrete MOS-FET to each bus line.
NXP Semiconductors ……
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